(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPB65R380C6
Изображение служит лишь для справки
IPB65R380C6
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Power Field-Effect Transistor, 10.6A I(D), 650V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 2000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Поставщик упаковки устройства：PG-TO263-3-2
- Прямоходящий ток вывода Id：10.6
- Пакет：Bulk
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：10.6A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Mfr：Infineon Technologies
- Максимальная мощность рассеяния：83W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：CoolMOS™
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：380mOhm @ 3.2A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3.5V @ 320µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：710 pF @ 100 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：39 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：650 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Канальный тип：N
- Характеристика ТРП：-
Со склада 2000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
