(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NE34018-T1
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество контактов：4
- Количество терминалов：4
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Напряжение, классификация：4 V
- Номинальное напряжение (постоянное)：2 V
- РХОС：Compliant
- Описание пакета：PLASTIC, SUPERMINI-4
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Артикул Производителя：NE34018-T1
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：NEC Electronics America Inc
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：NEC ELECTRONICS AMERICA INC
- Ранг риска：5.09
- Максимальный ток утечки (ID)：0.03 A
- Пакетирование：Cut Tape
- Максимальная рабочая температура：125 °C
- Минимальная температура работы：-65 °C
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Код соответствия REACH：unknown
- Моментальный ток：5 mA
- Частота：2 GHz
- Код JESD-30：R-PDSO-G4
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Режим работы：DEPLETION MODE
- Распад мощности：150 mW
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Ток испытания：5 mA
- Напряжение стока-исток (Vdss)：4 V
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Непрерывный ток стока (ID)：80 mA
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：-3 V
- Увеличение：16 dB
- Напряжение пробоя стока к истоку：4 V
- Минимальная напряжённость разрушения：3 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：HETERO-JUNCTION
- Фактор шума：0.6 dB
- Частотная полоса наивысшего режима：S BAND
- Испытательное напряжение：2 V
- Уголок мощности-минимум (Гп)：14 dB
- Корпусировка на излучение：No
- Без свинца：Contains Lead
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
