(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NX3020NAKW
Изображение служит лишь для справки
NX3020NAKW
-
NXP USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 180mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SC-70, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество контактов：3
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- РХОС：Compliant
- Артикул Производителя：NX3020NAKW
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：NXP Semiconductors
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Transferred
- Производитель IHS：NXP SEMICONDUCTORS
- Ранг риска：4.39
- Максимальный ток утечки (ID)：0.18 A
- Рохс Код：Yes
- Максимальная температура рефлоу：30
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Описание пакета：PLASTIC, SC-70, 3 PIN
- Код JESD-609：e3
- Код ECCN：EAR99
- Сопротивление：2.7 Ω
- Конечная обработка контакта：TIN
- Максимальная рабочая температура：150 °C
- Максимальная потеря мощности：300 mW
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PDSO-G3
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30 V
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Непрерывный ток стока (ID)：180 mA
- Пороговое напряжение：1.2 V
- Сопротивление открытого канала-макс：5.2 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения：30 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- REACH SVHC：No SVHC
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
