DMN2600UFB-7B

Name: Diodes Inc. DMN2600UFB-7B
Brand: Diodes Inc.
Rating: 4.6 (14 reviews)

Diodes Inc.
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
-
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 25V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, ULTRA SMALL, PLASTIC, DFN1006-3, 3 PIN
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：3
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
РХОС：Compliant
Описание пакета：GREEN, ULTRA SMALL, PLASTIC, DFN1006-3, 3 PIN
Форма упаковки：CHIP CARRIER
Уровни чувствительности к влажности：1
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Максимальная температура рефлоу：40
Температура работы-Макс：150 °C
Рохс Код：Yes
Артикул Производителя：DMN2600UFB-7B
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Diodes Incorporated
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：DIODES INC
Ранг риска：5.71
Код упаковки компонента：DFN
Максимальный ток утечки (ID)：1.3 A
Код JESD-609：e4
Безоловая кодировка：Yes
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY, LOW THRESHOLD
Подкатегория：FET General Purpose Powers
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：NO LEAD
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Код соответствия REACH：compliant
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PBCC-N3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Максимальный сливовой ток (ID)：1.3 A
Сопротивление открытого канала-макс：0.35 Ω
Минимальная напряжённость разрушения：25 V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：0.54 W

Со склада 0

Итого $0.00000