(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные UF2820R
Изображение служит лишь для справки
UF2820R
-
MA-COM
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Screw
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество контактов：6
- Количество терминалов：6
- Материал элемента транзистора：SILICON
- РХОС：Compliant
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, O-CXFM-F6
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Температура работы-Макс：200 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：UF2820R
- Форма упаковки：ROUND
- Производитель：MACOM
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：M/A-COM TECHNOLOGY SOLUTIONS INC
- Ранг риска：5.24
- Максимальный ток утечки (ID)：4 A
- Пакетирование：Bulk
- Код ECCN：EAR99
- Максимальная рабочая температура：200 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Положение терминала：UNSPECIFIED
- Форма вывода：FLAT
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：O-CXFM-F6
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Непрерывный ток стока (ID)：4 A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20 V
- Максимальный сливовой ток (ID)：4 A
- Минимальная напряжённость разрушения：65 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：63 W
- Частотная полоса наивысшего режима：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
