(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BLF8G22LS-240J
Изображение служит лишь для справки
BLF8G22LS-240J
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：26 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество контактов：2
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Напряжение, классификация：65 V
- РХОС：Compliant
- Описание пакета：ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2
- Форма упаковки：FLATPACK
- Материал корпуса пакета：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：BLF8G22LS-240J
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Ampleon
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Contact Manufacturer
- Производитель IHS：AMPLEON NETHERLANDS B V
- Ранг риска：5.57
- Код ECCN：EAR99
- Максимальная рабочая температура：225 °C
- Минимальная температура работы：-65 °C
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Частота：2.17 GHz
- Нормативная Марка：IEC-60134
- Код JESD-30：R-CDFP-F2
- Конфигурация：SINGLE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：SOURCE
- Выводная мощность：55 W
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Ток испытания：2 A
- Напряжение стока-исток (Vdss)：65 V
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Непрерывный ток стока (ID)：2 A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：13 V
- Увеличение：19 dB
- Минимальная напряжённость разрушения：65 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Сопротивление стока к истоку：45 mΩ
- Частотная полоса наивысшего режима：S BAND
- Испытательное напряжение：28 V
- Уголок мощности-минимум (Гп)：18 dB
- Корпусировка на излучение：No
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
