Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FQU2N60TU
Изображение служит лишь для справки
FQU2N60TU
- Fairchild Semiconductor
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 4.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251, IPAK-3
- Date Sheet
Lagernummer 5040
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Поставщик упаковки устройства:I-PAK
- Пакет:Tube
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:2A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Mfr:Fairchild Semiconductor
- Максимальная мощность рассеяния:2.5W (Ta), 45W (Tc)
- Состояние продукта:Obsolete
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия:QFET®
- Технология:MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:4.7Ohm @ 1A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:5V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:350 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:11 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):600 V
- Угол настройки (макс.):±30V
- Характеристика ТРП:-
Со склада 5040
Итого $0.00000