(0)
Изображение служит лишь для справки
CMPT3906GTR
-
Central Semiconductor
-
Дискретные полупроводниковые
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3
Date Sheet
Lagernummer 9000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Монтаж：Surface Mount
- Поверхностный монтаж：YES
- Поставщик упаковки устройства：SOT-23
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：200mA
- Диэлектрический пробой напряжение：40 V
- Минимальная частота работы в герцах：100
- РХОС：Compliant
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：No
- Траниционный частотный предел (fT)：250 MHz
- Артикул Производителя：CMPT3906GTR
- Время включения макс. (ton)：70 ns
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Central Semiconductor Corp
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
- Время отключения макс. (toff)：300 ns
- Ранг риска：5.1
- Рабочая температура：-65°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：--
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Код JESD-609：e0
- Состояние изделия：Active
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Максимальная рабочая температура：150 °C
- Минимальная температура работы：-65 °C
- Код ТН ВЭД：8541.21.00.75
- Подкатегория：Other Transistors
- Максимальная потеря мощности：350 mW
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PDSO-G3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Направленность：PNP
- Конфигурация：SINGLE
- Конфигурация элемента：Single
- Мощность - Макс：350mW
- Применение транзистора：SWITCHING
- Продуктивность полосы частот：250 MHz
- Полярность/Тип канала：PNP
- Тип транзистора：PNP
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：400 mV
- Максимальный ток сбора：200 mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：100 @ 10mA, 1V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：--
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：400mV @ 5mA, 50mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：40V
- Частота перехода：250 MHz
- Максимальное напряжение разрушения：40 V
- Частота - Переход：250MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：40 V
- Максимальная потеря мощности (абс.)：0.35 W
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5 V
- Максимальный ток коллектора (IC)：0.2 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：30
- Прямоходящий ток коллектора：200 mA
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：40 V
- Без свинца：Lead Free
Со склада 9000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
