Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NTE2373
Изображение служит лишь для справки
NTE2373
-
NTE Electronics, Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3
- Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
Date Sheet
Lagernummer 161
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Supplier Device Package：TO-220
- Manufacturer Part Number：NTE2373
- Manufacturer：NTE Electronics
- RoHS：Compliant
- Package：Bag
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：11A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Mfr：NTE Electronics, Inc
- Power Dissipation (Max)：125W (Tc)
- Product Status：Active
- Operating Temperature：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Series：-
- Max Operating Temperature：150 °C
- Min Operating Temperature：-55 °C
- Max Power Dissipation：125 W
- Technology：MOSFET (Metal Oxide)
- Number of Channels：1
- Power Dissipation：125 W
- FET Type：P-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：500mOhm @ 6.6A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250µA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1200 pF @ 25 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：44 nC @ 10 V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：-200 V
- Vgs (Max)：±20V
- Continuous Drain Current (ID)：11 A
- Threshold Voltage：4 V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20 V
- Recovery Time：300 ns
- FET Feature：-
- Drain to Source Resistance：500 mΩ
- Nominal Vgs：2 V
- REACH SVHC：Unknown
Со склада 161
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты