(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NTE2373
Изображение служит лишь для справки
NTE2373
-
NTE Electronics, Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3
- Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
Date Sheet
Lagernummer 161
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3
- Количество контактов：3
- Поставщик упаковки устройства：TO-220
- Артикул Производителя：NTE2373
- Производитель：NTE Electronics
- РХОС：Compliant
- Пакет：Bag
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：11A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Mfr：NTE Electronics, Inc
- Максимальная мощность рассеяния：125W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：-
- Максимальная рабочая температура：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Максимальная потеря мощности：125 W
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Каналов количество：1
- Распад мощности：125 W
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：500mOhm @ 6.6A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1200 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：44 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：-200 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Непрерывный ток стока (ID)：11 A
- Пороговое напряжение：4 V
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20 V
- Время восстановления：300 ns
- Характеристика ТРП：-
- Сопротивление стока к истоку：500 mΩ
- Номинальное Vgs：2 V
- REACH SVHC：Unknown
Со склада 161
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
