(0)
Изображение служит лишь для справки
MG150Q2YS91
-
Toshiba
-
Дискретные полупроводниковые
- -
- TRANSISTOR 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：7
- Материал элемента транзистора：SILICON
- РХОС：Non-Compliant
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Артикул Производителя：MG150Q2YS91
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Toshiba America Electronic Components
- Количество элементов：2
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：TOSHIBA CORP
- Ранг риска：5.71
- Положение терминала：UPPER
- Форма вывода：UNSPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PUFM-X7
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальный ток коллектора (IC)：150 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：1200 V
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
