(0)
Изображение служит лишь для справки
2N4400
-
NTE Electronics, Inc.
-
Дискретные полупроводниковые
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 11400
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Количество контактов：3
- Поставщик упаковки устройства：TO-92
- Эмиттер-основное напряжение：6(V)
- Классификация Температурной Выносливости：Military
- Формат упаковки：TO-92
- Полярность транзистора：NPN
- Токовая напряжение коллектора-эммитера：60(V)
- Категория：Bipolar Small Signal
- Диапазон рабочей температуры：-55C to 150C
- Коллекторный ток (постоянный)：0.6(A)
- Количество элементов：1
- Квантовозащитный：No
- Уголок постоянного тока：20
- Монтаж：Through Hole
- Артикул Производителя：2N4400
- Производитель：NTE Electronics
- Диэлектрический пробой напряжение：40 V
- РХОС：Compliant
- Пакет：Bag
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：600 mA
- Mfr：NTE Electronics, Inc
- Состояние продукта：Active
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：-
- Максимальная рабочая температура：150 °C
- Максимальная потеря мощности：625 mW
- Частота：200(MHz)
- Число контактов：3
- Направленность：NPN
- Конфигурация：Single
- Распад мощности：0.625(W)
- Выводная мощность：Not Required(W)
- Мощность - Макс：625 mW
- Тип транзистора：NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：40 V
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：50 @ 150mA, 1V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：750mV @ 50mA, 500mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：40 V
- Частота перехода：250 MHz
- Частота - Переход：200MHz
- REACH SVHC：No SVHC
Со склада 11400
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
