BCR135WE6327

Name: Infineon BCR135WE6327
Brand: Infineon
Rating: 4.6 (20 reviews)

Infineon
Дискретные полупроводниковые
SC-70, SOT-323
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Date Sheet

Lagernummer 461

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：SC-70, SOT-323
Поверхностный монтаж：YES
Поставщик упаковки устройства：PG-SOT323-3-1
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Пакет：Bulk
Максимальный коллекторный ток (Ic)：100 mA
Mfr：Infineon Technologies
Состояние продукта：Active
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Уровни чувствительности к влажности：NOT SPECIFIED
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Максимальная температура рефлоу：40
Рохс Код：Yes
Траниционный частотный предел (fT)：150 MHz
Артикул Производителя：BCR135WE6327
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Rochester Electronics LLC
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Ранг риска：5.47
Серия：-
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：Yes
Конечная обработка контакта：MATTE TIN
Дополнительная Характеристика：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Код соответствия REACH：unknown
Код JESD-30：R-PDSO-G3
Квалификационный Статус：COMMERCIAL
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
Мощность - Макс：250 mW
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN - Pre-Biased
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：70 @ 5mA, 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA (ICBO)
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 500µA, 10mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：50 V
Частота - Переход：150 MHz
Максимальный ток коллектора (IC)：0.1 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：70
База (R1)：10 kOhms
Резистор - Эмиттер-База (R2)：47 kOhms
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：50 V

Со склада 461

Итого $0.00000