Изображение служит лишь для справки
RN1117MFV(TPL3)
-
Toshiba
-
Дискретные полупроводниковые
- -
- Digital Transistors 50volts 100mA 3Pin 10Kohms x 4.7Kohms
Date Sheet
Lagernummer 36
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Mount：Surface Mount
- Number of Pins：3
- Emitter- Base Voltage VEBO：15 V
- Typical Resistor Ratio：2.13
- Pd - Power Dissipation：150 mW
- Transistor Polarity：NPN
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- DC Collector/Base Gain hfe Min：30
- Typical Input Resistor：10 kOhms
- Minimum Operating Temperature：- 65 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：8000
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Manufacturer：Toshiba
- Brand：Toshiba
- RoHS：Details
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：50 V
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50 V
- hFEMin：30
- Series：RN1117MFV
- Packaging：MouseReel
- Type：NPN Epitaxial Silicon Transistor
- Max Operating Temperature：150 °C
- Min Operating Temperature：-65 °C
- Subcategory：Transistors
- Max Power Dissipation：150 mW
- Polarity：NPN
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：150 mW
- Product Type：BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：50 V
- Max Collector Current：100 mA
- Operating Temperature Range：- 65 C to + 150 C
- Transition Frequency：250 MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：50 V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：15 V
- Continuous Collector Current：100 mA
- Product Category：Bipolar Transistors - Pre-Biased
- Width：0.5 mm
- Height：1.2 mm
- Length：1.2 mm
- Radiation Hardening：No
Со склада 36
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты