GT60M303(Q)

Name: Toshiba GT60M303(Q)
Brand: Toshiba
Rating: 5 (14 reviews)

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Through Hole
Поверхностный монтаж：NO
Количество контактов：3
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：900 V
РХОС：Compliant
Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Форма упаковки：FLANGE MOUNT
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Время включения (тон)：460 ns
Время отключения (toff)：600 ns
Температура работы-Макс：150 °C
Рохс Код：Yes
Артикул Производителя：GT60M303(Q)
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Toshiba America Electronic Components
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：End Of Life
Производитель IHS：TOSHIBA CORP
Время подъема макс：600 ns
Ранг риска：6.88
Код ECCN：EAR99
Максимальная рабочая температура：150 °C
Минимальная температура работы：-55 °C
Подкатегория：Insulated Gate BIP Transistors
Максимальная потеря мощности：170 W
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：THROUGH-HOLE
Код соответствия REACH：unknown
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PSFM-T3
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：170 W
Сокетная связка：COLLECTOR
Применение транзистора：POWER CONTROL
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：900 V
Максимальный ток сбора：60 A
Время обратной рекомпенсации：2.5 µs
Максимальная потеря мощности (абс.)：170 W
Максимальный ток коллектора (IC)：60 A
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：900 V
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：25 V
Время падения максимальное (tf)：400 ns
Корпусировка на излучение：No
Без свинца：Lead Free

Со склада 0

Итого $0.00000