Изображение служит лишь для справки
NTE284
- NTE Electronics, Inc.
- Дискретные полупроводниковые
- TO-204AA, TO-3
- Power Bipolar Transistor, 16A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-204AA, TO-3
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество контактов:2
- Поставщик упаковки устройства:TO-3
- Вес:7.257478 g
- Количество терминалов:2
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Эмиттер-основное напряжение:5(V)
- Классификация Температурной Выносливости:Military
- Формат упаковки:TO-3
- Полярность транзистора:NPN
- Токовая напряжение коллектора-эммитера:180(V)
- Категория:Bipolar Power
- Диапазон рабочей температуры:-65C to 150C
- Коллекторный ток (постоянный):16(A)
- Количество элементов:1
- Квантовозащитный:No
- Монтаж:Through Hole
- Артикул Производителя:NTE284
- Производитель:NTE Electronics
- Диэлектрический пробой напряжение:180 V
- РХОС:Compliant
- Номинальное напряжение (постоянное):180 V
- Пакет:Bag
- Максимальный коллекторный ток (Ic):16 A
- Mfr:NTE Electronics, Inc
- Состояние продукта:Active
- Описание пакета:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета:METAL
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Рохс Код:Yes
- Траниционный частотный предел (fT):6 MHz
- Форма упаковки:ROUND
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:NTE ELECTRONICS INC
- Ранг риска:1.73
- Рабочая температура:150°C (TJ)
- Серия:-
- Код ECCN:EAR99
- Максимальная рабочая температура:150 °C
- Минимальная температура работы:-65 °C
- Подкатегория:Other Transistors
- Максимальная потеря мощности:150 W
- Положение терминала:BOTTOM
- Форма вывода:PIN/PEG
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:unknown
- Моментальный ток:16 A
- Частота:6(MHz)
- Число контактов:2 +Tab
- Код JESD-30:O-MBFM-P2
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Направленность:NPN
- Конфигурация:Single
- Распад мощности:150(W)
- Сокетная связка:COLLECTOR
- Выводная мощность:Not Required(W)
- Мощность - Макс:150 W
- Применение транзистора:AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала:NPN
- Тип транзистора:NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):180 V
- Максимальный ток сбора:16 A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:70 @ 2A, 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс):100µA (ICBO)
- Код JEDEC-95:TO-3
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:3V @ 1A, 10A
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):180 V
- Частота перехода:6 MHz
- Частота - Переход:6MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):180 V
- Максимальная потеря мощности (абс.):150 W
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):5 V
- Максимальный ток коллектора (IC):16 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):70
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:180 V
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды:150 W
- Ширина:76.2 mm
- Высота:8.89 mm
- Длина:152.4 mm
- Диаметр:22.2 mm
- REACH SVHC:Unknown
Со склада 0
Итого $0.00000