1N5822-E3\1

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：NO
Материал диодного элемента：SILICON
Количество терминалов：2
Описание пакета：O-PALF-W2
Форма упаковки：LONG FORM
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Минимальная температура работы：-65 °C
Максимальная температура рефлоу：NOT APPLICABLE
Температура работы-Макс：125 °C
Рохс Код：Yes
Артикул Производителя：1N5822-E3/1
Форма упаковки：ROUND
Производитель：Vishay Semiconductors
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：VISHAY SEMICONDUCTORS
Ранг риска：5.04
Код упаковки компонента：DO-201AD
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：Yes
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：MATTE TIN
Применение：EFFICIENCY
Дополнительная Характеристика：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
Код ТН ВЭД：8541.10.00.80
Технология：SCHOTTKY
Положение терминала：AXIAL
Форма вывода：WIRE
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT APPLICABLE
Код соответствия REACH：unknown
Число контактов：2
Код JESD-30：O-PALF-W2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE
Тип диода：RECTIFIER DIODE
Сокетная связка：ISOLATED
Выводная мощность-макс：3 A
Количество фаз：1
Максимальное обратное напряжение：40 V
Код JEDEC-95：DO-201AD
Максимальная прямая сила тока в пакете：80 A

Со склада 0

Итого $0.00000