HN1A01FU-GR(L,F,T)

Name: Toshiba HN1A01FU-GR(L,F,T)
Brand: Toshiba
Price: 0.10503 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (6 reviews)

Lagernummer 171

1+： $0.10503
10+： $0.09908
100+： $0.09348
500+： $0.08819
1000+： $0.08319

Zwischensummenbetrag $0.10503

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Монтаж：Surface Mount
Количество контактов：6
Число элементов на чипе：2
Размеры：2 x 1.25 x 0.9mm
Формат упаковки：SOT-363 (SC-88)
Максимальная рабочая температура：+125 °C
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：50 V
Максимальный постоянный ток сбора：150 mA
Максимальная частота работы：80 MHz
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока：120
Диэлектрический пробой напряжение：50 V
Минимальная частота работы в герцах：120
Количество элементов：2
РХОС：Compliant
Описание пакета：,
Артикул Производителя：HN1A01FU-GR,LF(T
Производитель：Toshiba America Electronic Components
Код цикла жизни компонента：Active
Описание Samacsys：Toshiba HN1A01FU-GR,LF(T Dual PNP Transistor, -150 mA, -50 V, 6-Pin SOT-363
Производитель IHS：TOSHIBA CORP
Ранг риска：1.62
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Максимальная рабочая температура：125 °C
Минимальная температура работы：-55 °C
Максимальная потеря мощности：200 mW
Код соответствия REACH：unknown
Частота：80 MHz
Число контактов：6
Направленность：PNP
Конфигурация элемента：Dual
Распад мощности：200 mW
Продуктивность полосы частот：80 MHz
Тип транзистора：PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：300 mV
Максимальный ток сбора：150 mA
Частота перехода：80 MHz
Максимальное напряжение разрушения：50 V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：-50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：-5 V
Корпусировка на излучение：No

Со склада 171

1+： $0.10503
10+： $0.09908
100+： $0.09348
500+： $0.08819
1000+： $0.08319

Итого $0.10503