NTE292

Name: NTE Electronics, Inc. NTE292
Brand: NTE Electronics, Inc.
Rating: 4.6 (8 reviews)

NTE Electronics, Inc.
Дискретные полупроводниковые
TO-220-3
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Количество контактов：3
Поставщик упаковки устройства：TO-220
Вес：7.257478 g
Эмиттер-основное напряжение：5(V)
Классификация Температурной Выносливости：Military
Формат упаковки：TO-220
Полярность транзистора：PNP
Токовая напряжение коллектора-эммитера：130(V)
Категория：Bipolar Power
Диапазон рабочей температуры：-65C to 150C
Коллекторный ток (постоянный)：4(A)
Количество элементов：1
Квантовозащитный：No
Монтаж：Through Hole
Артикул Производителя：NTE292
Производитель：NTE Electronics
Диэлектрический пробой напряжение：120 V
Номинальное напряжение (постоянное)：130 V
РХОС：Compliant
Пакет：Bag
Максимальный коллекторный ток (Ic)：4 A
Mfr：NTE Electronics, Inc
Состояние продукта：Active
Рабочая температура：-65°C ~ 150°C
Серия：-
Максимальная рабочая температура：150 °C
Минимальная температура работы：-65 °C
Максимальная потеря мощности：40 W
Моментальный ток：4 A
Частота：4(MHz)
Число контактов：3 +Tab
Направленность：PNP
Конфигурация：Single
Распад мощности：1.8(W)
Выводная мощность：Not Required(W)
Мощность - Макс：1.8 W
Тип транзистора：PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：120 V
Максимальный ток сбора：4 A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：15 @ 1.5A, 4V
Ток - отсечка коллектора (макс)：1mA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：2.5V @ 2A, 4A
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：120 V
Частота - Переход：4MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：130 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5 V
Ширина：76.2 mm
Высота：15.494 mm
Длина：10.668 mm

Со склада 0

Итого $0.00000