Изображение служит лишь для справки






CZTA27TR
-
Central Semiconductor
-
Дискретные полупроводниковые
- TO-261-4, TO-261AA
- Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin,
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-261-4, TO-261AA
- Монтаж:Surface Mount
- Поверхностный монтаж:YES
- Поставщик упаковки устройства:SOT-223
- Количество терминалов:4
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Максимальный коллекторный ток (Ic):500mA
- Диэлектрический пробой напряжение:60 V
- РХОС:Compliant
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс:150 °C
- Рохс Код:No
- Траниционный частотный предел (fT):125 MHz
- Артикул Производителя:CZTA27TR
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Central Semiconductor Corp
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
- Ранг риска:5.24
- Рабочая температура:-65°C ~ 150°C (TJ)
- Серия:--
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Код JESD-609:e0
- Безоловая кодировка:No
- Состояние изделия:Active
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin/Lead (Sn/Pb)
- Код ТН ВЭД:8541.29.00.75
- Подкатегория:Other Transistors
- Максимальная потеря мощности:2 W
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:unknown
- Код JESD-30:R-PDSO-G4
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Направленность:NPN
- Конфигурация:DARLINGTON
- Распад мощности:2 W
- Сокетная связка:COLLECTOR
- Мощность - Макс:2W
- Полярность/Тип канала:NPN
- Тип транзистора:NPN - Darlington
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):1.5 V
- Максимальный ток сбора:500 mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:10000 @ 100mA, 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс):500nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:1.5V @ 100µA, 100mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):60V
- Частота перехода:125 MHz
- Максимальное напряжение разрушения:60 V
- Частота - Переход:125MHz
- Максимальная потеря мощности (абс.):2 W
- Максимальный ток коллектора (IC):0.5 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):10000
- Без свинца:Lead Free
Со склада 0
Итого $0.00000