BSC119N03MSCG

Name: Infineon BSC119N03MSCG
Brand: Infineon
Rating: 4.9 (17 reviews)

Infineon
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
8-PowerTDFN
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.0119ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8
Date Sheet

Lagernummer 1905

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-PowerTDFN
Поверхностный монтаж：YES
Поставщик упаковки устройства：PG-TDSON-8
Количество терминалов：5
Материал элемента транзистора：SILICON
Пакет：Bulk
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：11A (Ta), 39A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
Mfr：Infineon Technologies
Максимальная мощность рассеяния：2.5W (Ta), 28W (Tc)
Состояние продукта：Active
Температура работы-Макс：150 °C
Артикул Производителя：BSC119N03MSCG
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Infineon Technologies AG
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
Ранг риска：5.81
Максимальный ток утечки (ID)：11 A
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Серия：OptiMOS™3
Код JESD-609：e3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：MATTE TIN
Технология：MOSFET (Metal Oxide)
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：FLAT
Код соответствия REACH：unknown
Число контактов：8
Код JESD-30：R-PDSO-F5
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：11.9mOhm @ 30A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2V @ 250µA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1500 pF @ 15 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：20 nC @ 10 V
Напряжение стока-исток (Vdss)：30 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Сопротивление открытого канала-макс：0.0119 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：156 A
Минимальная напряжённость разрушения：30 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：10 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：-

Со склада 1905

Итого $0.00000