(0)
Изображение служит лишь для справки
BSM50GAL120DN2
-
Infineon
-
Дискретные полупроводниковые
- -
- Insulated Gate Bipolar Transistor, 76A I(C), 1200V V(BR)CES
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Производитель：Infineon
- Артикул Производителя：BSM50GAL120DN2
- Код упаковки компонента：MODULE
- Ранг риска：7.86
- Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Код цикла жизни компонента：Not Recommended
- Количество элементов：1
- Рохс Код：Yes
- Температура работы-Макс：150 °C
- Безоловая кодировка：Yes
- Код ECCN：EAR99
- Тип：Single
- Подкатегория：Insulated Gate BIP Transistors
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：7
- Тип циркуляции：Chopper
- Максимальная потеря мощности (абс.)：400 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：76 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：1200 V
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20 V
- Максимальное напряжение на выходе：3.2 V
- Высота (мм)：30.5 mm
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
