(0)
Изображение служит лишь для справки
BCX70HE6327
-
Infineon
-
Дискретные полупроводниковые
- SOT-23-3
- Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
Date Sheet
Lagernummer 24000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：1 Week
- Корпус / Кейс：SOT-23-3
- Вид крепления：Surface Mount
- Поверхностный монтаж：YES
- Поставщик упаковки устройства：PG-SOT23
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Максимальный постоянный ток сбора：100 mA
- РХОС：Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：45 V
- Бренд：Infineon Technologies
- Производитель：Infineon
- Партийные обозначения：BCX7HE6327XT SP000010550 BCX70HE6327HTSA1
- Параметр частотно-уровневого продукта fT：250 MHz
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Пакетная партия производителя：48000
- Минимальная температура работы：- 65 C
- Вес единицы：0.000282 oz
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Распад мощности：330 mW
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：6 V
- Полярность транзистора：NPN
- Состояние продукта：Active
- Mfr：Infineon Technologies
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：100 mA
- Пакет：Bulk
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：40
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：Yes
- Траниционный частотный предел (fT)：250 MHz
- Артикул Производителя：BCX70HE6327
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：End Of Life
- Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Ранг риска：5.82
- Пакетирование：MouseReel
- Серия：BCX70
- Рабочая температура：150°C (TJ)
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：Yes
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Подкатегория：Transistors
- Технология：Si
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：R-PDSO-G3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：Single
- Распад мощности：330
- Мощность - Макс：330 mW
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors
- Тип транзистора：NPN
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：180 @ 2mA, 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：20nA (ICBO)
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：550mV @ 1.25mA, 50mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：45 V
- Частота перехода：250
- Частота - Переход：250MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：45 V
- Максимальная потеря мощности (абс.)：0.33 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：0.1 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：70
- Прямоходящий ток коллектора：100
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：45 V
- Категория продукта：Bipolar Transistors - BJT
- Длина：2.9 mm
- Высота：1 mm
- Ширина：1.3 mm
Со склада 24000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
