Главное Интегральные схемы (ИС) Линейные - Усилители - Инструментальные, ОП-усилители, буферные усилители H7P1002DL-E
Изображение служит лишь для справки
H7P1002DL-E
- Renesas
- Линейные - Усилители - Инструментальные, ОП-усилители, буферные усилители
- -
- Pch Single Power MOSFET -100V -15A 105mohm DPAK(L)-(2)/TO-251
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Описание пакета:IN-LINE, R-PSIP-T3
- Форма упаковки:IN-LINE
- Уровни чувствительности к влажности:1
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Код упаковки производителя:PRSS0004ZD-B4
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс:150 °C
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:H7P1002DL-E
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Renesas Electronics Corporation
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Not Recommended
- Производитель IHS:RENESAS ELECTRONICS CORP
- Ранг риска:5.37
- Код упаковки компонента:DPAK(L)-(2)
- Максимальный ток утечки (ID):15 A
- Код JESD-609:e6
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:TIN BISMUTH
- Подкатегория:Other Transistors
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:compliant
- Число контактов:4
- Код JESD-30:R-PSIP-T3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Название бренда:Renesas
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:P-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID):15 A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.15 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:60 A
- Минимальная напряжённость разрушения:100 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):30 W
Со склада 0
Итого $0.00000