(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные JANTXV2N6792
Изображение служит лишь для справки
JANTXV2N6792
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 400V, 1.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-39, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Производитель：Defense Logistics Agency
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：DEFENSE LOGISTICS AGENCY
- Ранг риска：5.21
- Максимальный ток утечки (ID)：2 A
- Форма упаковки：ROUND
- Артикул Производителя：JANTXV2N6792
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Материал корпуса пакета：METAL
- Форма упаковки：CYLINDRICAL
- Описание пакета：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
- Дополнительная Характеристика：RADIATION HARDENED
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：WIRE
- Код соответствия REACH：unknown
- Нормативная Марка：MILITARY STANDARD (USA)
- Код JESD-30：O-MBCY-W3
- Квалификационный Статус：Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-205AF
- Сопротивление открытого канала-макс：1.8 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：10 A
- Минимальная напряжённость разрушения：400 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
