(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPA50R140CPXK
Изображение служит лишь для справки
IPA50R140CPXK
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220FP-3
- Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 500V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220FP, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 41
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-220FP-3
- Вид крепления：Through Hole
- Поставщик упаковки устройства：PG-TO220-3-111
- Прямоходящий ток вывода Id：23
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：500 V
- Время типичного задержки включения：35 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：3.5 V
- Распад мощности：34 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Вес единицы：0.068784 oz
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：500
- Монтажные варианты：Through Hole
- Режим канала：Enhancement
- Партийные обозначения：SP000234988 IPA50R140CP IPA50R140CPXKSA1
- Производитель：Infineon
- Бренд：Infineon Technologies
- Зарядная характеристика ворот：64 nC
- Торговое наименование：CoolMOS
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：130 mOhms
- РХОС：Details
- Время задержки отключения типичного：80 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：23 A
- Пакет：Bulk
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：23A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Mfr：Infineon Technologies
- Максимальная мощность рассеяния：34W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Серия：CoolMOS CE
- Пакетирование：Tube
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Подкатегория：MOSFETs
- Технология：Si
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：140mOhm @ 14A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3.5V @ 930µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2540 pF @ 100 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：64 nC @ 10 V
- Время подъема：14 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：500 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Тип продукта：MOSFET
- Тип транзистора：1 N-Channel
- Канальный тип：N
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
- Ширина：4.85 mm
- Высота：16.15 mm
- Длина：10.65 mm
Со склада 41
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
