Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FQI4N20TU
Изображение служит лишь для справки






FQI4N20TU
-
Fairchild Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, I2PAK-3
Date Sheet
Lagernummer 4000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- Поставщик упаковки устройства:I2PAK (TO-262)
- Пакет:Tube
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:3.6A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Mfr:Fairchild Semiconductor
- Максимальная мощность рассеяния:3.13W (Ta), 45W (Tc)
- Состояние продукта:Obsolete
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия:QFET®
- Технология:MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:1.4Ohm @ 1.8A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:5V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:220 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:6.5 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):200 V
- Угол настройки (макс.):±30V
- Характеристика ТРП:-
Со склада 4000
Итого $0.00000