(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BUK761R3-30E
Изображение служит лишь для справки
BUK761R3-30E
-
NXP USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：30
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：BUK761R3-30E
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：NXP Semiconductors
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Transferred
- Производитель IHS：NXP SEMICONDUCTORS
- Ранг риска：5.76
- Максимальный ток утечки (ID)：120 A
- Код JESD-609：e3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：TIN
- Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：245
- Код соответствия REACH：unknown
- Нормативная Марка：AEC-Q101; IEC-60134
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：0.0013 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：1580 A
- Минимальная напряжённость разрушения：30 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：1380 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
