Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRFAF40
Изображение служит лишь для справки






IRFAF40
-
International Rectifier
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-204AA, TO-3
- Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 900V, 2.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA, HERMETIC SEALED, TO-3, 2 PIN
Date Sheet
Lagernummer 1068
- 1+: $4.95310
- 10+: $4.67273
- 100+: $4.40824
- 500+: $4.15872
- 1000+: $3.92332
Zwischensummenbetrag $4.95310
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-204AA, TO-3
- Поставщик упаковки устройства:TO-204AA (TO-3)
- Пакет:Bulk
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:4.3A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Mfr:International Rectifier
- Максимальная мощность рассеяния:125W (Tc)
- Состояние продукта:Active
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия:HEXFET®
- Технология:MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:2.9Ohm @ 4.3A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:4V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1500 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:120 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):900 V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Характеристика ТРП:-
Со склада 1068
- 1+: $4.95310
- 10+: $4.67273
- 100+: $4.40824
- 500+: $4.15872
- 1000+: $3.92332
Итого $4.95310