(0)
Изображение служит лишь для справки
K6F1616U6A-EF55
Lagernummer 1232
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：48
- Описание пакета：VFBGA, BGA48,6X8,30
- Форма упаковки：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
- Количество кодовых слов：1000000
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Код эквивалентности пакета：BGA48,6X8,30
- Минимальная температура работы：-40 °C
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Время доступа-максимум：55 ns
- Температура работы-Макс：85 °C
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：K6F1616U6A-EF55
- Количество слов：1048576 words
- Номинальное напряжение питания (Вн)：3 V
- Код пакета：VFBGA
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Samsung Semiconductor
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
- Ранг риска：8.81
- Код упаковки компонента：BGA
- Код JESD-609：e0
- Код ECCN：3A991.B.2.A
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Код ТН ВЭД：8542.32.00.41
- Подкатегория：SRAMs
- Технология：CMOS
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：BALL
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Количество функций：1
- Шаг выводов：0.75 mm
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：48
- Код JESD-30：R-PBGA-B48
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Напряжение питания максимальное (Vпит)：3.3 V
- Блоки питания：3 V
- Градация температуры：INDUSTRIAL
- Напряжение питания минимальное (Vпит)：2.7 V
- Режим работы：ASYNCHRONOUS
- Максимальный ток подачи：0.03 mA
- Организация：1MX16
- Характеристики выдачи：3-STATE
- Максимальная высота посадки：1 mm
- Ширина памяти：16
- Ток ожидания-макс：0.000008 A
- Плотность памяти：16777216 bit
- Параллельный/Серийный：PARALLEL
- Тип ввода/вывода：COMMON
- Тип микросхемы памяти：STANDARD SRAM
- Минимальная напряжение спящего режима：1.5 V
- Ширина：7.5 mm
- Длина：9.5 mm
Со склада 1232
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
