(0)
Изображение служит лишь для справки
TPCC8105,L1Q
Lagernummer 2998
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TSON-8
- Вид крепления：Surface Mount
- Поставщик упаковки устройства：8-TSON Advance (3.3x3.3)
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：30 V
- Время типичного задержки включения：14 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：800 mV
- Распад мощности：30 W
- Полярность транзистора：P-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 25 V, + 20 V
- Вес единицы：0.000705 oz
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：5000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Режим канала：Enhancement
- Производитель：Toshiba
- Бренд：Toshiba
- Зарядная характеристика ворот：76 nC
- Торговое наименование：U-MOSVI
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：7.8 mOhms
- РХОС：Details
- Время задержки отключения типичного：330 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：23 A
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：23A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Mfr：Toshiba Semiconductor and Storage
- Максимальная мощность рассеяния：700mW (Ta), 30W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Серия：TPCC8105
- Пакетирование：MouseReel
- Рабочая температура：150°C
- Подкатегория：MOSFETs
- Технология：Si
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：7.8mOhm @ 11.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2V @ 500µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：3240 pF @ 10 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：76 nC @ 10 V
- Время подъема：8 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30 V
- Угол настройки (макс.)：+20V, -25V
- Тип продукта：MOSFET
- Тип транзистора：1 P-Channel
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 2998
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
