(0)
Изображение служит лишь для справки
MSCSM120TAM16CTPAG
Lagernummer 820
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：SP6P
- Вид крепления：Chassis Mount
- Поставщик упаковки устройства：SP6-P
- Обратное напряжение：1200 V
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：1200 V
- Время типичного задержки включения：30 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：1.8 V
- Распад мощности：728 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 125 C
- Усв：- 10 V, + 25 V
- Минимальная температура работы：- 40 C
- Пакетная партия производителя：1
- Монтажные варианты：Screw Mounts
- Производитель：Microchip
- Бренд：Microchip Technology / Atmel
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：16 mOhms
- РХОС：Details
- Время задержки отключения типичного：50 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：171 A
- Пакет：Tube
- Основной номер продукта：MSCSM120
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：171A (Tc)
- Mfr：Microchip Technology
- Состояние продукта：Active
- Пакетирование：Bulk
- Рабочая температура：-40°C ~ 175°C (TJ)
- Серия：-
- Тип：Phase Leg
- Подкатегория：Discrete Semiconductor Modules
- Технология：SiC
- Мощность - Макс：728W (Tc)
- Тип ТРВ：6 N-Channel (3-Phase Bridge)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：16mOhm @ 80A, 20V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.8V @ 2mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：6040pF @ 1000V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：464nC @ 20V
- Время подъема：30 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：1200V (1.2kV)
- Тип продукта：Discrete Semiconductor Modules
- Характеристика ТРП：Silicon Carbide (SiC)
- Продукт：Power MOSFET Modules
- Вф - Напряжение прямого тока：1.5 V at 50 A
- Категория продукта：Discrete Semiconductor Modules
Со склада 820
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
