Изображение служит лишь для справки






TK11S10N1L.LQ
Lagernummer 5549
- 1+: $0.64928
- 10+: $0.61252
- 100+: $0.57785
- 500+: $0.54514
- 1000+: $0.51429
Zwischensummenbetrag $0.64928
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:DPAK-3
- Вид крепления:Surface Mount
- Поставщик упаковки устройства:DPAK+
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:100 V
- Время типичного задержки включения:29 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:1.5 V
- Квалификация:AEC-Q101
- Распад мощности:65 W
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 175 C
- Усв:- 20 V, + 20 V
- Вес единицы:0.012699 oz
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Пакетная партия производителя:2000
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Режим канала:Enhancement
- Производитель:Toshiba
- Бренд:Toshiba
- Зарядная характеристика ворот:15 nC
- Торговое наименование:U-MOSVIII-H
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:28 mOhms
- РХОС:Details
- Время задержки отключения типичного:36 ns
- Id - Непрерывный ток разряда:11 A
- Пакет:Tape & Reel (TR)
- Основной номер продукта:TK11S10
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:11A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V, 10V
- Mfr:Toshiba Semiconductor and Storage
- Максимальная мощность рассеяния:65W (Tc)
- Состояние продукта:Active
- Серия:TK11S10N1L
- Пакетирование:MouseReel
- Рабочая температура:175°C
- Подкатегория:MOSFETs
- Технология:Si
- Конфигурация:Single
- Каналов количество:1 Channel
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:28mOhm @ 5.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.5V @ 100µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:850 pF @ 10 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:15 nC @ 10 V
- Время подъема:13 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):100 V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Тип продукта:MOSFET
- Тип транзистора:1 N-Channel
- Характеристика ТРП:-
- Категория продукта:MOSFET
Со склада 5549
- 1+: $0.64928
- 10+: $0.61252
- 100+: $0.57785
- 500+: $0.54514
- 1000+: $0.51429
Итого $0.64928