(0)
Изображение служит лишь для справки
GT15J341.S4X
-
Toshiba
-
Неклассифицированные
- TO-220SIS-3
Date Sheet
Lagernummer 183
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Корпус / Кейс：TO-220SIS-3
- Вид крепления：Through Hole
- Поставщик упаковки устройства：TO-220SIS
- Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates：- 25 V, + 25 V
- Распад мощности：30 W
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：50
- Монтажные варианты：Through Hole
- Производитель：Toshiba
- Бренд：Toshiba
- Максимальный постоянный ток сбора коллектора Ic：60 A
- РХОС：Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：600 V
- Пакет：Tube
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：15 A
- Mfr：Toshiba Semiconductor and Storage
- Состояние продукта：Active
- Условия испытания：300V, 15A, 33Ohm, 15V
- Описание пакета：,
- Артикул Производителя：GT15J341,S4X
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：TOSHIBA CORP
- Ранг риска：5.66
- Серия：GT15J341
- Пакетирование：Tube
- Рабочая температура：150°C (TJ)
- Подкатегория：IGBTs
- Технология：Si
- Код соответствия REACH：unknown
- Конфигурация：Single
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：30 W
- Тип продукта：IGBT Transistors
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：600 V
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2V @ 15V, 15A
- Тип ИGBT：-
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：60 A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：60ns/170ns
- Переключаемый энергопотребление：300µJ (on), 300µJ (off)
- Время обратной рекомпенсации (trr)：80 ns
- Категория продукта：IGBT Transistors
Со склада 183
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
