Изображение служит лишь для справки






MSCSM120TAM11CTPAG
Lagernummer 889
- 1+: $556.40746
- 10+: $524.91270
- 100+: $495.20066
- 500+: $467.17044
- 1000+: $440.72683
Zwischensummenbetrag $556.40746
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:SP6P
- Вид крепления:Chassis Mount
- Поставщик упаковки устройства:SP6-P
- Прямоходящий ток вывода Id:251
- Обратное напряжение:1200 V
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:1200 V
- Время типичного задержки включения:30 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:1.8 V
- Распад мощности:1042 W
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 125 C
- Усв:- 10 V, + 25 V
- Минимальная температура работы:- 40 C
- Пакетная партия производителя:1
- Монтажные варианты:Screw Mounts
- Производитель:Microchip
- Бренд:Microchip Technology / Atmel
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:10.4 mOhms
- РХОС:Details
- Время задержки отключения типичного:50 ns
- Id - Непрерывный ток разряда:251 A
- Пакет:Tube
- Основной номер продукта:MSCSM120
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:251A (Tc)
- Mfr:Microchip Technology
- Состояние продукта:Active
- Пакетирование:Bulk
- Рабочая температура:-40°C ~ 175°C (TJ)
- Серия:-
- Тип:Phase Leg
- Подкатегория:Discrete Semiconductor Modules
- Технология:SiC
- Конфигурация:Triple
- Распад мощности:1.042
- Мощность - Макс:1.042kW (Tc)
- Тип ТРВ:6 N-Channel (3-Phase Bridge)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:10.4mOhm @ 120A, 20V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.8V @ 3mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:9060pF @ 1000V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:696nC @ 20V
- Время подъема:30 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):1200V (1.2kV)
- Тип продукта:Discrete Semiconductor Modules
- Характеристика ТРП:Silicon Carbide (SiC)
- Продукт:Power MOSFET Modules
- Вф - Напряжение прямого тока:1.5 V at 50 A
- Категория продукта:Discrete Semiconductor Modules
Со склада 889
- 1+: $556.40746
- 10+: $524.91270
- 100+: $495.20066
- 500+: $467.17044
- 1000+: $440.72683
Итого $556.40746