(0)
Изображение служит лишь для справки
NTMD3N08LR2G
Lagernummer 46300
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：8
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности：3
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Код упаковки производителя：CASE 751-07
- Максимальная температура рефлоу：40
- Температура работы-Макс：175 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：NTMD3N08LR2G
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：ON Semiconductor
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：ON SEMICONDUCTOR
- Ранг риска：5.39
- Код упаковки компонента：SOT
- Максимальный ток утечки (ID)：2.3 A
- Код JESD-609：e3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика：ULTRA-LOW RESISTANCE
- Подкатегория：FET General Purpose Powers
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：8
- Код JESD-30：R-PDSO-G8
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID)：2.3 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.215 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：25 A
- Минимальная напряжённость разрушения：80 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：25 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：3.1 W
Со склада 46300
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
