Изображение служит лишь для справки
GBJ25V08
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Поверхностный монтаж:NO
- Материал диодного элемента:SILICON
- Количество терминалов:4
- Производитель:LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP.
- РХОС:Y
- Срок жизни @ Темп:-55°C to +150°C
- Описание пакета:R-PSFM-T4
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Температура работы-Макс:150 °C
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:GBJ25V08
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Количество элементов:4
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
- Ранг риска:5.77
- Пакетирование:Weight: 6.82 grams (Approximate)
- Размер / Размерность:29.70mm L x 4.40mm W (min.)
- Код ECCN:EAR99
- Дополнительная Характеристика:UL RECOGNIZED
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Код JESD-30:R-PSFM-T4
- Конфигурация:BRIDGE, 4 ELEMENTS
- Напряжение:600V
- Тип диода:BRIDGE RECTIFIER DIODE
- Выводная мощность-макс:4.8 A
- Количество фаз:1
- Максимальное обратное напряжение:800 V
- Максимальная прямая сила тока в пакете:480 A
- Минимальная напряжение разрушения:800 V
- Высота сидения (макс.):36.70mm
Со склада 0
Итого $0.00000