(0)
Изображение служит лишь для справки
TPW5200FNH,L1Q
Lagernummer 3750
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：DSOP-8
- Вид крепления：Surface Mount
- Поставщик упаковки устройства：8-DSOP Advance
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：250 V
- Время типичного задержки включения：20 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2 V
- Распад мощности：142 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Вес единицы：0.003668 oz
- Пакетная партия производителя：5000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Режим канала：Enhancement
- Производитель：Toshiba
- Бренд：Toshiba
- Зарядная характеристика ворот：22 nC
- Торговое наименование：U-MOSVIII-H
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：52 mOhms
- РХОС：Details
- Время задержки отключения типичного：36 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：27 A
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：26A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Mfr：Toshiba Semiconductor and Storage
- Максимальная мощность рассеяния：800mW (Ta), 142W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Серия：TPW5200FNH
- Пакетирование：Reel
- Рабочая температура：150°C
- Подкатегория：MOSFETs
- Технология：Si
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：52mOhm @ 13A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2200 pF @ 100 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：22 nC @ 10 V
- Время подъема：8 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：250 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Тип продукта：MOSFET
- Тип транзистора：1 N-Channel
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 3750
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
