(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы YJQ55P02A
Изображение служит лишь для справки
YJQ55P02A
-
Yangzhou Yangjie Elec Tech
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-PowerVDFN
- 20V 55A 6.5mΩ@4.5V,15A 38W 620mV@250uA 477pF@10V P Channel 6.358nF@10V 12.7nC@10V -55℃~+150℃@(Tj) DFN(3.3x3.3) MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 15000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerVDFN
- Поставщик упаковки устройства：8-DFN (3.3x3.3)
- Пакет：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：55A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：1.8V, 4.5V
- Mfr：Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
- Максимальная мощность рассеяния：3.2W (Ta), 38W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：-
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：8.3mOhm @ 15A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：6358 pF @ 10 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：12.7 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20 V
- Угол настройки (макс.)：±10V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 15000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
