Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы YJG95G06A
Изображение служит лишь для справки
YJG95G06A
- Yangzhou Yangjie Elec Tech
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-PowerLDFN
- 60V 95A 2.1mΩ@10V,20A 120W 1.6V@250uA 85pF@25V N Channel 5.95nF@25V 93nC@10V -55℃~+150℃@(Tj) PDFN5060 MOSFETs ROHS
- Date Sheet
Lagernummer 2321
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-PowerLDFN
- Поставщик упаковки устройства:8-PDFN (5x6)
- Пакет:Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:155A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V, 10V
- Mfr:Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
- Максимальная мощность рассеяния:120W (Ta)
- Состояние продукта:Active
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия:-
- Технология:MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:2.5mOhm @ 20A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.5V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:5950 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:93 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):60 V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Характеристика ТРП:-
Со склада 2321
Итого $0.00000