Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы 2N7002KTB-R1-00001
Изображение служит лишь для справки






2N7002KTB-R1-00001
-
PANJIT International
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- SOT-523-3
- SOT-523 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 322
- 1+: $0.02782
- 10+: $0.02624
- 100+: $0.02476
- 500+: $0.02335
- 1000+: $0.02203
Zwischensummenbetrag $0.02782
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:SOT-523-3
- Вид крепления:Surface Mount
- Поверхностный монтаж:YES
- Поставщик упаковки устройства:SOT-523 Flat Leads
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:60 V
- Время типичного задержки включения:20 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:2.5 V
- Распад мощности:200 mW
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Усв:- 20 V, + 20 V
- Вес единицы:0.000071 oz
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Пакетная партия производителя:4000
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Режим канала:Enhancement
- Производитель:Panjit
- Бренд:Panjit
- Зарядная характеристика ворот:800 pC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:4 Ohms
- РХОС:Details
- Время задержки отключения типичного:125 ns
- Id - Непрерывный ток разряда:115 mA
- Пакет:Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:115mA (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V, 10V
- Mfr:Panjit International Inc.
- Максимальная мощность рассеяния:200mW (Ta)
- Состояние продукта:Active
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:2N7002KTB_R1_00001
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:PAN JIT INTERNATIONAL INC
- Ранг риска:5.55
- Максимальный ток утечки (ID):0.115 A
- Серия:NFET-035TB
- Пакетирование:MouseReel
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Код ECCN:EAR99
- Дополнительная Характеристика:ULTRA LOW RESISTANCE
- Подкатегория:MOSFETs
- Технология:Si
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:compliant
- Код JESD-30:R-PDSO-F3
- Конфигурация:Single
- Каналов количество:1 Channel
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:3Ohm @ 500mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.5V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:35 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:0.8 nC @ 4.5 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):60 V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Тип продукта:MOSFET
- Тип транзистора:1 N-Channel
- Сопротивление открытого канала-макс:3 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения:60 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП:-
- Обратная ёмкость-Макс (Crss):5 pF
- Категория продукта:MOSFET
Со склада 322
- 1+: $0.02782
- 10+: $0.02624
- 100+: $0.02476
- 500+: $0.02335
- 1000+: $0.02203
Итого $0.02782