(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы A2N7002H-HF
Изображение служит лишь для справки
A2N7002H-HF
-
Comchip
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- SOT-23
- SOT-23 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 16
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：SOT-23
- Вид крепления：Surface Mount
- Поставщик упаковки устройства：SOT-23-3
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：60 V
- Время типичного задержки включения：6 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.5 V
- Квалификация：AEC-Q101
- Распад мощности：350 mW
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Вес единицы：0.000282 oz
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：3000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Режим канала：Enhancement
- Производитель：Comchip Technology
- Бренд：Comchip Technology
- Зарядная характеристика ворот：-
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：3 Ohms
- РХОС：Details
- Время задержки отключения типичного：25 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：300 mA
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Основной номер продукта：A2N7002
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：300mA (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：5V, 10V
- Mfr：Comchip Technology
- Максимальная мощность рассеяния：350mW (Ta)
- Состояние продукта：Active
- Пакетирование：MouseReel
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：Automotive, AEC-Q101
- Подкатегория：MOSFETs
- Технология：Si
- Каналов количество：1 Channel
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2.5Ohm @ 500mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：41 pF @ 20 V
- Время подъема：5 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Тип продукта：MOSFET
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 16
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
