Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы A2N7002H-HF
Изображение служит лишь для справки
A2N7002H-HF
-
Comchip
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- SOT-23
- SOT-23 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 16
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Package / Case：SOT-23
- Mounting Type：Surface Mount
- Supplier Device Package：SOT-23-3
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：60 V
- Typical Turn-On Delay Time：6 ns
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：2.5 V
- Qualification：AEC-Q101
- Pd - Power Dissipation：350 mW
- Transistor Polarity：N-Channel
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 20 V, + 20 V
- Unit Weight：0.000282 oz
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：3000
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Channel Mode：Enhancement
- Manufacturer：Comchip Technology
- Brand：Comchip Technology
- Qg - Gate Charge：-
- Rds On - Drain-Source Resistance：3 Ohms
- RoHS：Details
- Typical Turn-Off Delay Time：25 ns
- Id - Continuous Drain Current：300 mA
- Package：Tape & Reel (TR)
- Base Product Number：A2N7002
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：300mA (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：5V, 10V
- Mfr：Comchip Technology
- Power Dissipation (Max)：350mW (Ta)
- Product Status：Active
- Packaging：MouseReel
- Operating Temperature：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Series：Automotive, AEC-Q101
- Subcategory：MOSFETs
- Technology：Si
- Number of Channels：1 Channel
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：2.5Ohm @ 500mA, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：2.5V @ 250µA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：41 pF @ 20 V
- Rise Time：5 ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：60 V
- Vgs (Max)：±20V
- Product Type：MOSFET
- FET Feature：-
- Product Category：MOSFET
Со склада 16
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты