Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы GT105N10T
Изображение служит лишь для справки
GT105N10T
-
GOFORD
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- TO-220-3
- 100V 55A 74W 8mΩ@10V,35A 1.7V@250uA 14pF@50V N Channel 1625pF@50V 54nC@10V -55℃~+150℃@(Tj) TO-220 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 11029
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Supplier Device Package：TO-220
- Package：Tube
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：55A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V, 10V
- Mfr：Goford Semiconductor
- Power Dissipation (Max)：74W (Tc)
- Product Status：Active
- Operating Temperature：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Series：-
- Technology：MOSFET (Metal Oxide)
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：10.5mOhm @ 35A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：2.5V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：54 nC @ 10 V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：100 V
- Vgs (Max)：±20V
- FET Feature：-
Со склада 11029
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты