Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы G65P06D5
Изображение служит лишь для справки
G65P06D5
-
GOFORD
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-PowerTDFN
- 60V 60A 130W 13mΩ@10V,20A 2.6V@250uA 234pF@25V P Channel 5814pF@25V 75nC@10V -55℃~+150℃@(Tj) DFN5x6-8L MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 3769
- 1+： $0.38425
- 10+： $0.36250
- 100+： $0.34198
- 500+： $0.32262
- 1000+： $0.30436
Zwischensummenbetrag $0.38425
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-PowerTDFN
- Supplier Device Package：8-DFN (4.9x5.75)
- Package：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：60A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Mfr：Goford Semiconductor
- Power Dissipation (Max)：130W (Tc)
- Product Status：Active
- Operating Temperature：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Series：-
- Technology：MOSFET (Metal Oxide)
- FET Type：P-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：18mOhm @ 20A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：3.5V @ 250µA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：5814 pF @ 25 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：75 nC @ 10 V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：60 V
- Vgs (Max)：±20V
- FET Feature：-
Со склада 3769
- 1+： $0.38425
- 10+： $0.36250
- 100+： $0.34198
- 500+： $0.32262
- 1000+： $0.30436
Итого $0.38425
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты