Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IPS70R360P7S
Изображение служит лишь для справки
IPS70R360P7S
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- -
- PG-TO251-3 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：IN-LINE, R-PSIP-T3
- Форма упаковки：IN-LINE
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Минимальная температура работы：-40 °C
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：IPS70R360P7S
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Infineon Technologies AG
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Ранг риска：5.74
- Максимальный ток утечки (ID)：12.5 A
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：R-PSIP-T3
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-251
- Максимальный сливовой ток (ID)：12.5 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.36 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：34 A
- Минимальная напряжённость разрушения：700 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：59.5 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты