(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы SPU04N60C3
Изображение служит лишь для справки
SPU04N60C3
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- TO-251-3
- TO-251-3 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 22
- 1+： $0.94692
- 10+： $0.89332
- 100+： $0.84276
- 500+： $0.79505
- 1000+： $0.75005
Zwischensummenbetrag $0.94692
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-251-3
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：600 V
- Время типичного задержки включения：6 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.1 V
- Распад мощности：50 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Вес единицы：0.011993 oz
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：1500
- Монтажные варианты：Through Hole
- Режим канала：Enhancement
- Партийные обозначения：SP000095850 SPU4N6C3XK SPU04N60C3BKMA1
- Производитель：Infineon
- Бренд：Infineon Technologies
- Зарядная характеристика ворот：19 nC
- Торговое наименование：CoolMOS
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：950 mOhms
- РХОС：Details
- Время задержки отключения типичного：58.5 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：4.5 A
- Серия：CoolMOS C3
- Пакетирование：Tube
- Подкатегория：MOSFETs
- Технология：Si
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Время подъема：2.5 ns
- Тип продукта：MOSFET
- Тип транзистора：1 N-Channel
- Категория продукта：MOSFET
- Ширина：2.38 mm
- Высота：6.22 mm
- Длина：6.73 mm
Со склада 22
- 1+： $0.94692
- 10+： $0.89332
- 100+： $0.84276
- 500+： $0.79505
- 1000+： $0.75005
Итого $0.94692
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
