Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы SPU04N60C3
Изображение служит лишь для справки
SPU04N60C3
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- TO-251-3
- TO-251-3 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 53
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Package / Case：TO-251-3
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：600 V
- Typical Turn-On Delay Time：6 ns
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：2.1 V
- Pd - Power Dissipation：50 W
- Transistor Polarity：N-Channel
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 20 V, + 20 V
- Unit Weight：0.011993 oz
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1500
- Mounting Styles：Through Hole
- Channel Mode：Enhancement
- Part # Aliases：SP000095850 SPU4N6C3XK SPU04N60C3BKMA1
- Manufacturer：Infineon
- Brand：Infineon Technologies
- Qg - Gate Charge：19 nC
- Tradename：CoolMOS
- Rds On - Drain-Source Resistance：950 mOhms
- RoHS：Details
- Typical Turn-Off Delay Time：58.5 ns
- Id - Continuous Drain Current：4.5 A
- Series：CoolMOS C3
- Packaging：Tube
- Subcategory：MOSFETs
- Technology：Si
- Configuration：Single
- Number of Channels：1 Channel
- Rise Time：2.5 ns
- Product Type：MOSFET
- Transistor Type：1 N-Channel
- Product Category：MOSFET
- Width：2.38 mm
- Height：6.22 mm
- Length：6.73 mm
Со склада 53
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты