JANTXV2N5238S

Name: Microchip Technology JANTXV2N5238S
Brand: Microchip Technology
Rating: 4.5 (8 reviews)

Microchip Technology
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
TRANS NPN 170V 10A TO39
Date Sheet

Lagernummer 6

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Поверхностный монтаж：NO
Поставщик упаковки устройства：TO-39 (TO-205AD)
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Mfr：Microchip Technology
Максимальный коллекторный ток (Ic)：10 A
Состояние продукта：Active
Пакет：Bulk
Основной номер продукта：2N5238
Пакетная партия производителя：1
Производитель：Microchip
Бренд：Microchip / Microsemi
РХОС：N
Описание пакета：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Форма упаковки：CYLINDRICAL
Материал корпуса пакета：METAL
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Температура работы-Макс：175 °C
Рохс Код：No
Траниционный частотный предел (fT)：50 MHz
Артикул Производителя：JANTXV2N5238S
Время включения макс. (ton)：550 ns
Форма упаковки：ROUND
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：MICROSEMI CORP
Время отключения макс. (toff)：2000 ns
Ранг риска：5.22
Код упаковки компонента：BCY
Серия：Military, MIL-PRF-19500/394
Рабочая температура：-65°C ~ 200°C (TJ)
Пакетирование：Bulk
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：No
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
Подкатегория：Transistors
Технология：Si
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：WIRE
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：compliant
Число контактов：2
Нормативная Марка：MIL-19500/394H
Код JESD-30：O-MBCY-W3
Квалификационный Статус：Qualified
Конфигурация：SINGLE
Сокетная связка：COLLECTOR
Мощность - Макс：1 W
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：NPN
Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors
Тип транзистора：NPN
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：40 @ 5A, 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：10μA
Код JEDEC-95：TO-5
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：2.5V @ 1A, 10A
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：170 V
Частота - Переход：-
Максимальная потеря мощности (абс.)：5 W
Максимальный ток коллектора (IC)：10 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：10
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：170 V
Категория продукта：Bipolar Transistors - BJT

Со склада 6

Итого $0.00000