Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные H5N2513PL-E
Изображение служит лишь для справки
H5N2513PL-E
-
Renesas Electronics America Inc
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- N-CHANNEL POWER MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 1350
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Factory Lead Time：1 Week
- Surface Mount：NO
- Number of Terminals：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Mfr：Renesas Electronics America Inc
- Package：Bulk
- Product Status：Active
- Package Description：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Moisture Sensitivity Levels：1
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Manufacturer Package Code：PRSS0004ZF-A4
- Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：Yes
- Manufacturer Part Number：H5N2513PL-E
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Renesas Electronics Corporation
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：RENESAS TECHNOLOGY CORP
- Risk Rank：5.81
- Part Package Code：TO-3PL
- Drain Current-Max (ID)：100 A
- Series：*
- Pbfree Code：Yes
- ECCN Code：EAR99
- Subcategory：FET General Purpose Power
- Terminal Position：SINGLE
- Terminal Form：THROUGH-HOLE
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：unknown
- Pin Count：4
- JESD-30 Code：R-PSFM-T3
- Qualification Status：Not Qualified
- Brand Name：Renesas
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：100 A
- Drain-source On Resistance-Max：0.026 Ω
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：400 A
- DS Breakdown Voltage-Min：250 V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Power Dissipation-Max (Abs)：250 W
Со склада 1350
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты