Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы SH8KA4TB1
Изображение служит лишь для справки
SH8KA4TB1
-
Rohm Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- MOSFET2 N-CH SOP8G
Date Sheet
Lagernummer 2083
- 1+： $1.24599
- 10+： $1.17547
- 100+： $1.10893
- 500+： $1.04616
- 1000+： $0.98694
Zwischensummenbetrag $1.24599
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Supplier Device Package：8-SOP
- Mfr：Rohm Semiconductor
- Product Status：Active
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：9A (Ta)
- Base Product Number：SH8KA4
- MSL：MSL 1 - Unlimited
- Qualification：-
- Transistor Polarity：N Channel
- Continuous Drain Current Id：9A
- Package Type：SOP
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：30 V
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：2.5 V
- Pd - Power Dissipation：3 W
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 20 V, + 20 V
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Channel Mode：Enhancement
- Qg - Gate Charge：15.5 nC
- Rds On - Drain-Source Resistance：21.4 mOhms
- Id - Continuous Drain Current：9 A
- Series：Automotive, AEC-Q101
- Operating Temperature：150°C (TJ)
- Technology：Si
- Pin Count：8
- Number of Channels：2 Channel
- Power - Max：2W (Ta)
- FET Type：2 N-Channel (Dual)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：21.4mOhm @ 9A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：2.5V @ 1mA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：640pF @ 15V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：15.5nC @ 10V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：30V
- Channel Type：N Channel
- FET Feature：Standard
Со склада 2083
- 1+： $1.24599
- 10+： $1.17547
- 100+： $1.10893
- 500+： $1.04616
- 1000+： $0.98694
Итого $1.24599
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты