(0)
Изображение служит лишь для справки
BSS64E6327
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 114032
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Поверхностный монтаж：YES
- Поставщик упаковки устройства：SOT-23
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Mfr：Infineon Technologies
- Пакет：Bulk
- Состояние продукта：Active
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：800 mA
- Полярность транзистора：NPN
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Траниционный частотный предел (fT)：100 MHz
- Артикул Производителя：BSS64E6327
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Rochester Electronics LLC
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：ROCHESTER ELECTRONICS LLC
- Ранг риска：5.45
- Серия：-
- Рабочая температура：150°C (TJ)
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PDSO-G3
- Квалификационный Статус：COMMERCIAL
- Конфигурация：SINGLE
- Мощность - Макс：330 mW
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип транзистора：NPN
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：20 @ 4mA, 1V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA (ICBO)
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：700mV @ 400μA, 4mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：80 V
- Частота перехода：100
- Частота - Переход：100MHz
- Максимальный ток коллектора (IC)：0.8 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：20
- Прямоходящий ток коллектора：800
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：80 V
Со склада 114032
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
