Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 117

  • 1+: $1.05241
  • 10+: $0.99284
  • 100+: $0.93664
  • 500+: $0.88363
  • 1000+: $0.83361

Zwischensummenbetrag $1.05241

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Вид крепления:Surface Mount
  • Корпус / Кейс:8-PowerTDFN
  • Поставщик упаковки устройства:PG-TDSON-8-1
  • Mfr:Infineon Technologies
  • Состояние продукта:Active
  • Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:37A (Ta), 100A (Tc)
  • Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V, 10V
  • Максимальная мощность рассеяния:2.5W (Ta), 96W (Tc)
  • Основной номер продукта:ISC011
  • Квалификация:-
  • Прямоходящий ток вывода Id:100A
  • Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:30 V
  • Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:1.2 V
  • Распад мощности:96 W
  • Полярность транзистора:N-Channel
  • Максимальная рабочая температура:+ 150 C
  • Усв:- 20 V, + 20 V
  • Минимальная температура работы:- 55 C
  • Пакетная партия производителя:5000
  • Монтажные варианты:SMD/SMT
  • Режим канала:Enhancement
  • Партийные обозначения:ISC011N03L5S SP005408614
  • Производитель:Infineon
  • Бренд:Infineon Technologies
  • Зарядная характеристика ворот:36 nC
  • Торговое наименование:OptiMOS ~ StrongIRFET
  • Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:1.1 mOhms
  • Id - Непрерывный ток разряда:100 A
  • Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Пакетирование:Cut Tape
  • Подкатегория:MOSFETs
  • Каналов количество:1 Channel
  • Распад мощности:96W
  • Тип ТРВ:N-Channel
  • Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:1.1mOhm @ 30A, 10V
  • Втс(th) (Макс) @ Id:2V @ 250μA
  • Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:4700 pF @ 15 V
  • Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:72 nC @ 10 V
  • Напряжение стока-исток (Vdss):30 V
  • Угол настройки (макс.):±20V
  • Тип продукта:MOSFET
  • Канальный тип:N Channel
  • Характеристика ТРП:-
  • Категория продукта:MOSFET

Со склада 117

  • 1+: $1.05241
  • 10+: $0.99284
  • 100+: $0.93664
  • 500+: $0.88363
  • 1000+: $0.83361

Итого $1.05241